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研究者 : 安達 定雄


【プロフィール】

基本情報
【氏名】
安達 定雄
【カナ】
アダチ サダオ
【ローマ字】
Sadao ADACHI
【氏名特記事項】
退職
所属部局等
【所属部局】
大学院理工学府
Graduate School of Science and Technology
【学科専攻】
電子情報・数理教育領域
Domain of Electronics and Infomatics, Mathematics and Physics
【本務職】
教授
Professor
連絡情報
【連絡先】
〒376-8515 郡馬県桐生市天神町1-5-1 郡馬大学大学院理工学府
Faculty of Science and Technology, Gunma University, Kiryu-shi, Gunma 376-8515, Japan
【ホームページ】
http://adachi.ei.st.gunma-u.ac.jp/
研究分野
  • 電子・電気材料工学
【名称】
固体光物性
Optical Solid-State Physics
研究分野キーワード
【キーワード】
半導体 電子デバイス 光デバイス 光物性 ナノ構造物質 蛍光体
semiconductor electron device optical device optical properties nanostructured material phosphor
研究テーマ
  • 電気電子工学
    electrical and electronic engineering
【研究態様】
個人研究
【研究制度】
基礎科学研究
科学研究費の獲得状況
  • 希土類-非希土類元素融合蛍光体の開発と応用
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
26289085
【年度】
2015年
【代表・分担】
代表
  • 希土類-非希土類元素融合蛍光体の開発と応用
【研究種目】
基盤研究(B)
【課題番号】
26289085
【年度】
2014年
【代表・分担】
代表
  • 純化学的方法による自己元素賦活型蛍光体の合成
【研究種目】
挑戦的萌芽研究
【課題番号】
25630120
【年度】
2014年
【代表・分担】
代表
  • 純化学的方法による自己元素賦活型蛍光体の合成
【研究種目】
挑戦的萌芽研究
【課題番号】
25630120
【年度】
2013年
【代表・分担】
代表
  • レアアース・フリー赤色、緑色蛍光体の開発と応用
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
23360133
【年度】
2013年
【代表・分担】
代表
  • レアアース・フリー赤色、緑色蛍光体の開発と応用
【研究種目】
基盤研究(B)
【課題番号】
23360133
【年度】
2012年
【代表・分担】
代表
  • レアアース・フリー赤色、緑色蛍光体の開発と応用
【研究種目】
基盤研究(B)
【課題番号】
23360133
【年度】
2011年
【代表・分担】
代表
  • 光照射エッチングによる平坦および大面積多孔質シリコン膜の作製とデバイスへの応用
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
20560290
【年度】
2010年
【代表・分担】
代表
  • 光照射エッチングによる平坦および大面積多孔質シリコン薄膜の作製とデバイスへの応用
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
20560290
【年度】
2009年
【代表・分担】
代表
  • 光照射エッチングによる平坦および大面積多孔質シリコン薄膜の作製とデバイスへの応用
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
20560290
【年度】
2008年
【代表・分担】
代表
  • RFスパッタ法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製及びその特性に関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
14550288
【年度】
2003年
【代表・分担】
分担
  • RFスパッタ法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製及びその特性に関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
14550288
【年度】
2002年
【代表・分担】
分担
  • 新概念テトラヘドラル結晶の育成と構造的、光学的性質 研究課題
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
12650301
【年度】
2001年
【代表・分担】
代表
  • 反応性スパッタ法による窒化III-V族半導体の作製およびその特性の関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
11650312
【年度】
2000年
【代表・分担】
分担
  • 新概念ツイン・テトラヘドラル結晶の育成と電子材料物性
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
12650301
【年度】
2000年
【代表・分担】
代表
  • 反応性スパッタ法による窒化III-V族半導体の作製およびその特性の関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
11650312
【年度】
1999年
【代表・分担】
分担
  • ダブル(8-N)結晶の結晶成長と構造的、光学的性質
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
08650365
【年度】
1996年
【代表・分担】
代表
  • RFスパッタリング法によるInSbヘテロエピタキシーと成長膜の光学的評価
【研究種目】
一般研究(C)
【課題番号】
05650290
【年度】
1993年
【代表・分担】
分担
  • 偏光分光解析によるII-VI族化合物半導体超確子の光学的性質に関する研究
【研究種目】
重点領域研究
【課題番号】
04205017
【年度】
1992年
【代表・分担】
代表
取得学位
  • 工学博士
    (BLANK)
【取得年月】
1980年03月
【取得方法】
課程
【取得大学】
大阪大学
Osaka University
【研究分野】
工学
Engineering
使用外国語
【発表に使用する外国語】
英語
【執筆に使用する外国語】
英語