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研究者 : 尾崎 俊二


【プロフィール】

基本情報
【氏名】
尾崎 俊二
【カナ】
オザキ シュンジ
【ローマ字】
Shunji OZAKI
所属部局等
【所属部局】
大学院理工学府
Graduate School of Science and Technology
【学科専攻】
電子情報・数理教育領域
Domain of Electronics and Infomatics, Mathematics and Physics
【本務職】
准教授
研究分野
  • 電子・電気材料工学
  • 電子・電気材料工学
【名称】
半導体光物性
研究分野キーワード
【キーワード】
半導体
SEMICONDUCTORS
研究テーマ
  • 半導体光物性
    Optical Properties of Semiconductors
【研究制度】
補助金
科学研究費の獲得状況
  • 高効率太陽電池開発のための新規カルコパイライト構造半導体の創製
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
15K05977
【年度】
2017年
【代表・分担】
代表
  • 高効率太陽電池開発のための新規カルコパイライト構造半導体の創製
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
15K05977
【年度】
2016年
【代表・分担】
代表
  • 高効率太陽電池開発のための新規カルコパイライト構造半導体の創製
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
15K05977
【年度】
2015年
【代表・分担】
代表
  • 希少金属を使用しない太陽電池用新規半導体材料の創製
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
23560357
【年度】
2013年
【代表・分担】
代表
  • 希少金属を使用しない太陽電池用新規半導体材料の創製
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
23560357
【年度】
2012年
【代表・分担】
代表
  • 希少金属を使用しない太陽電池用新規半導体材料の創製
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
23560357
【年度】
2011年
【代表・分担】
代表
  • RFスパッタ法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製及びその特性に関する研究
【課題番号】
【年度】
2003年
【代表・分担】
分担
  • RFスパッタ法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製及びその特性に関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
【年度】
2002年
【代表・分担】
分担
  • 新概念テトラヘドラル結晶の育成と構造的、光学的性質
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
【年度】
2001年
【代表・分担】
分担
  • 反応性スパッタ法による窒化III-V族半導体薄膜の作製及びその特性に関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
【年度】
2000年
【代表・分担】
分担
  • 新概念テトラヘドラル結晶の育成と構造的、光学的性質
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
【年度】
2000年
【代表・分担】
分担
  • 自己規則化 II-III2VI4族半導体結晶の育成と物性評価
【研究種目】
奨励研究(A)
【課題番号】
【年度】
2000年
【代表・分担】
代表
  • 自己規則化 II-III2VI4族半導体結晶の育成と物性評価
【研究種目】
奨励研究(A)
【課題番号】
【年度】
1999年
【代表・分担】
代表
  • 反応性スパッタ法による窒化III-V族半導体薄膜の作製及びその特性に関する研究
【研究種目】
基盤研究(C)
【課題番号】
【年度】
1999年
【代表・分担】
分担
取得学位
  • 博士(工学)
    (BLANK)
【取得方法】
課程
使用外国語
【発表に使用する外国語】
英語
【執筆に使用する外国語】
英語